【設備轉售】光刻機

本周，有多臺光刻機轉售！如有意向，歡迎致電 4006-979-616 咨詢洽談！

一、產品名稱：Nikon 光刻機

品牌：Nikon

所在地：上海

產品型號：NSR-1755i7A

適用行業：化合物半導體、MSMS、LED等領域

解像度：0.5μm

露光光源：i Line Lamp

縮小倍率：1:5

最大露光范圍：22x22

重合精度：EGA ≦0.11μm以內

二、產品名稱：Nikon 光刻機

品牌：Nikon

所在地：上海

產品型號：NSR-2205i12D

適用行業：化合物半導體、MSMS、LED等領域

解像度：≦ 350 nm

NA：0.63

露光光源：i-line (365 nm wavelength)

縮小倍率：1:5

最大露光范圍：22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm (6-inch reticle),20.0 × 20.4 mm (5-inchreticle)

重合精度：≦ 55 nm

三、產品名稱：Nikon 光刻機

品牌：Nikon

所在地：上海

產品型號：NSR-2205i14E2

適用行業：化合物半導體、MSMS、LED等領域

解像度：≦ 350 nm

NA：0.63

露光光源：i-line (365 nm wavelength)

縮小倍率：1:5

最大露光范圍：22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm

重合精度：≦ 40 nm

四、產品名稱：Canon 光刻機

品牌：Canon

所在地：上海

產品型號：FPA-3000 i4

適用行業：化合物半導體、MSMS、LED等領域

解像度：0.4um

露光光源：ⅠLⅰne Lamp

縮小倍率：1：5

最大露光范圍：22x22

重合精度：ＥＧＡ  ０．１１μｍ以內

產能Throughput：55wph

五、產品名稱：Nikon 光刻機

品牌：Nikon

所在地：上海

產品型號：NSR-S203B

適用行業：化合物半導體、MSMS、LED等領域

解像度：≦ 180 nm

NA：0.68

露光光源：KrF excimer laser (248 nm wavelength)

縮小倍率：1:4

最大露光范圍：25 × 33 mm

重合精度：≦ 40 nm

六、產品名稱：Nikon 光刻機

品牌：Nikon

所在地：上海

產品型號：NSR-S204B

適用行業：化合物半導體、MSMS、LED等領域

解像度：≦ 150 nm

NA：0.68

露光光源：KrF excimer laser (248 nm wavelength)

縮小倍率：1:4

最大露光范圍：25 × 33 mm

重合精度：≦ 35 nm

七、產品名稱：Nikon 光刻機

品牌：Nikon

所在地：上海

產品型號：NSR-SF120

適用行業：化合物半導體、MSMS、LED等領域

解像度：≦ 280 nm

NA：0.62

露光光源：i-line (365 nm wavelength)

縮小倍率：1:4

最大露光范圍：25 × 33 mm

重合精度：≦ 35 nm

八、產品名稱：Nikon 光刻機

品牌：Nikon

所在地：上海

產品型號：NSR-SF130

適用行業：化合物半導體、MSMS、LED等領域

解像度：≦ 280 nm

NA：0.62

露光光源：i-line (365 nm wavelength)

縮小倍率：1:4

最大露光范圍：25 × 33 mm

重合精度：≦ 35 nm

九、產品名稱：Canon 光刻機

品牌：Canon

所在地：上海

產品型號：FPA-5000 ES3

適用行業：化合物半導體、MSMS、LED等領域